| 发明名称 | 减少半导体装置中的噪声 | ||
| 摘要 | 本发明包含用于减少半导体装置中的噪声的方法、装置、模块及系统。一个方法实施例包含向半导体装置的控制栅极施加复位电压达一时间周期。所述方法进一步包含在施加所述复位电压之后感测所述半导体装置的状态。 | ||
| 申请公布号 | CN101802924B | 申请公布日期 | 2014.04.23 |
| 申请号 | CN200880106617.4 | 申请日期 | 2008.08.25 |
| 申请人 | 美光科技公司 | 发明人 | 维沙尔·萨林;弗朗姬·F·鲁帕尔瓦尔;辉俊胜 |
| 分类号 | G06F12/16(2006.01)I;G11C16/00(2006.01)I;G11C16/06(2006.01)I | 主分类号 | G06F12/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 沈锦华 |
| 主权项 | 一种用于减少半导体装置中的噪声的方法，其包括：向所述半导体装置的控制栅极（233）施加复位电压（471）达一时间周期（473），以允许电介质层中的电荷去陷获且使所述装置处于累积状态中；向所述半导体装置的控制栅极（233）施加电压斜升（400）达大致小于与因电介质界面中的电荷陷获及去陷获所致的随机电报信号（RTS）相关联的时间量的时间量以感测所述半导体装置的状态；在一电压下开始所述电压斜升（400），所述电压低至足以在将所述半导体装置编程到最低状态时起始所述半导体装置从累积到反转的转变；及在施加所述复位电压（471）之后感测所述半导体装置的状态。 | ||
| 地址 | 美国爱达荷州 | ||