发明名称 |
阵列基板及用该阵列基板的液晶显示面板 |
摘要 |
本发明提供一种阵列基板及用该阵列基板的液晶显示面板,该阵列基板包括:玻璃基板(20)、形成于玻璃基板(20)上的栅极(21)、形成于栅极(21)上的栅极绝缘层(22)、形成于栅极绝缘层(22)上的氧化物半导体层(23)、形成于氧化物半导体层(23)上的蚀刻阻挡层(24)、形成于栅极绝缘层(22)、氧化物半导体层(23)与蚀刻阻挡层(24)上的源/漏极(25)、形成于蚀刻阻挡层(24)、源/漏极(25)与栅极绝缘层(22)上的保护层(26)、形成于保护层(26)上的彩膜滤光片(27)、形成于彩膜滤光片(27)与保护层(26)上的平坦化层(28)及形成于平坦化层(28)上的像素电极(29),所述像素电极(29)电性连接于所述源/漏极(25)。 |
申请公布号 |
CN103744240A |
申请公布日期 |
2014.04.23 |
申请号 |
CN201310739594.3 |
申请日期 |
2013.12.27 |
申请人 |
深圳市华星光电技术有限公司 |
发明人 |
曾志远;连水池;罗长诚 |
分类号 |
G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1343(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I |
主分类号 |
G02F1/1362(2006.01)I |
代理机构 |
深圳市德力知识产权代理事务所 44265 |
代理人 |
林才桂 |
主权项 |
一种阵列基板,其特征在于,包括:玻璃基板(20)、形成于玻璃基板(20)上的栅极(21)、形成于栅极(21)与玻璃基板(20)上的栅极绝缘层(22)、形成于栅极绝缘层(22)上的氧化物半导体层(23)、形成于氧化物半导体层(23)上的蚀刻阻挡层(24)、形成于栅极绝缘层(22)、氧化物半导体层(23)与蚀刻阻挡层(24)上的源/漏极(25)、形成于蚀刻阻挡层(24)、源/漏极(25)与栅极绝缘层(22)上的保护层(26)、形成于保护层(26)上的彩膜滤光片(27)、形成于彩膜滤光片(27)与保护层(26)上的平坦化层(28)及形成于平坦化层(28)上的像素电极(29),所述像素电极(29)电性连接于所述源/漏极(25),且该像素电极(29)线状排布,并围成一以“十”字结构为中心的发射状结构。 |
地址 |
518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9—2号 |