| 发明名称 | 栅介质的电学性能的测试方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种栅介质的电学性能的测试方法，包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底包括一绝缘埋层以及位于所述绝缘埋层表面的一用于制造器件的顶层半导体层；在所述顶层半导体层表面制作一第一金属电极及生长一栅介质薄膜；在所述栅介质薄膜表面制作一第二金属电极及第三金属电极，所述第一金属电极的面积及第二金属电极的面积大于所述第三金属电极的面积；在所述第一金属电极与所述第三金属电极上施加电压，进行电流-电压测试，以得到所述栅介质的漏电流；在所述第二金属电极与第三金属电极上施加电压，进行电容-电压测试，以得到所述栅介质的电容。本发明栅介质的电学性能的测试方法，其能够简单方便准确的测量栅介质材料的漏电流及电容。 | ||
| 申请公布号 | CN103745941A | 申请公布日期 | 2014.04.23 |
| 申请号 | CN201310745281.9 | 申请日期 | 2013.12.30 |
| 申请人 | 上海新傲科技股份有限公司 | 发明人 | 魏星;曹铎;狄增峰;方子韦 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I;H01L23/544(2006.01)I;G01R31/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人 | 孙佳胤;翟羽 |
| 主权项 | 一种栅介质的电学性能的测试方法，其特征在于，包括如下步骤： 提供一衬底，所述衬底包括一绝缘埋层以及位于所述绝缘埋层表面的一用于制造器件的顶层半导体层； 在所述顶层半导体层表面制作一第一金属电极及生长一栅介质薄膜； 在所述栅介质薄膜表面制作一第二金属电极及第三金属电极，所述第一金属电极的面积及第二金属电极的面积大于所述第三金属电极的面积； 在所述第一金属电极与所述第三金属电极上施加电压，进行电流‑电压测试，以得到所述栅介质的漏电流； 在所述第二金属电极与第三金属电极上施加电压，进行电容‑电压测试，以得到所述栅介质的电容。 | ||
| 地址 | 201821 上海市嘉定区普惠路200号 | ||