发明名称 |
光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜及图案形成方法 |
摘要 |
提供碳浓度高、氧浓度低、耐热性较高、溶剂溶解性也比较高、能够适用湿式工艺的新型光刻用下层膜形成材料等。本发明的光刻用下层膜形成材料的特征在于,其含有下述通式(1)所示的化合物。式(1)中,X各自独立地是氧原子或硫原子,R<sup>1</sup>各自独立地是单键或碳原子数为1~30的2n价的烃基,该烃基任选具有环式烃基、双键、杂原子或碳原子数为6~30的芳香族基团,R<sup>2</sup>各自独立地是碳原子数为1~10的直链状、支链状或环状的烷基、碳原子数为6~10的芳基、碳原子数为2~10的链烯基或羟基,其中,R<sup>2</sup>的至少一个是羟基,m各自独立地是1~6的整数,n是1~4的整数。<img file="DDA0000465110110000011.GIF" wi="1290" he="655" /> |
申请公布号 |
CN103733136A |
申请公布日期 |
2014.04.16 |
申请号 |
CN201280039344.2 |
申请日期 |
2012.08.09 |
申请人 |
三菱瓦斯化学株式会社 |
发明人 |
越后雅敏;东原豪;内山直哉 |
分类号 |
G03F7/11(2006.01)I;C07D311/96(2006.01)I |
主分类号 |
G03F7/11(2006.01)I |
代理机构 |
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 |
代理人 |
刘新宇;李茂家 |
主权项 |
1.一种光刻用下层膜形成材料,其特征在于,其含有下述通式(1)所示的化合物,<img file="FDA0000465110090000011.GIF" wi="1120" he="578" />式(1)中,X各自独立地是氧原子或硫原子,R<sup>1</sup>各自独立地是单键或碳原子数为1~30的2n价的烃基,该烃基任选具有环式烃基、双键、杂原子或碳原子数为6~30的芳香族基团,R<sup>2</sup>各自独立地是碳原子数为1~10的直链状、支链状或环状的烷基、碳原子数为6~10的芳基、碳原子数为2~10的链烯基或羟基,其中,R<sup>2</sup>的至少一个是羟基,m各自独立地是1~6的整数,n是1~4的整数。 |
地址 |
日本东京都 |