发明名称 光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜及图案形成方法
摘要 提供碳浓度高、氧浓度低、耐热性较高、溶剂溶解性也比较高、能够适用湿式工艺的新型光刻用下层膜形成材料等。本发明的光刻用下层膜形成材料的特征在于,其含有下述通式(1)所示的化合物。式(1)中,X各自独立地是氧原子或硫原子,R<sup>1</sup>各自独立地是单键或碳原子数为1~30的2n价的烃基,该烃基任选具有环式烃基、双键、杂原子或碳原子数为6~30的芳香族基团,R<sup>2</sup>各自独立地是碳原子数为1~10的直链状、支链状或环状的烷基、碳原子数为6~10的芳基、碳原子数为2~10的链烯基或羟基,其中,R<sup>2</sup>的至少一个是羟基,m各自独立地是1~6的整数,n是1~4的整数。<img file="DDA0000465110110000011.GIF" wi="1290" he="655" />
申请公布号 CN103733136A 申请公布日期 2014.04.16
申请号 CN201280039344.2 申请日期 2012.08.09
申请人 三菱瓦斯化学株式会社 发明人 越后雅敏;东原豪;内山直哉
分类号 G03F7/11(2006.01)I;C07D311/96(2006.01)I 主分类号 G03F7/11(2006.01)I
代理机构 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人 刘新宇;李茂家
主权项 1.一种光刻用下层膜形成材料,其特征在于,其含有下述通式(1)所示的化合物,<img file="FDA0000465110090000011.GIF" wi="1120" he="578" />式(1)中,X各自独立地是氧原子或硫原子,R<sup>1</sup>各自独立地是单键或碳原子数为1~30的2n价的烃基,该烃基任选具有环式烃基、双键、杂原子或碳原子数为6~30的芳香族基团,R<sup>2</sup>各自独立地是碳原子数为1~10的直链状、支链状或环状的烷基、碳原子数为6~10的芳基、碳原子数为2~10的链烯基或羟基,其中,R<sup>2</sup>的至少一个是羟基,m各自独立地是1~6的整数,n是1~4的整数。
地址 日本东京都