发明名称 MTP器件的单元结构
摘要 本发明公开了一种MTP器件的单元结构,包括选择晶体管、编程晶体管和擦除电容;所述选择晶体管和编程晶体管位于同一个n阱中;所述选择晶体管的源极作为漏端,选择晶体管的栅极作为选择端,选择晶体管的漏极与编程晶体管的源极相连接;所述编程晶体管的栅极延伸出去成为浮栅,该浮栅作为擦除电容的下极板,编程晶体管的漏极与所述n阱相连接作为编程端;擦除电容的上极板为金属,擦除电容的上极板作为擦除端。本发明可以显著缩小MTP器件的单元结构的版图面积,并显著提高擦除电压,从而提高擦除速度,减少误编程。
申请公布号 CN102376719B 申请公布日期 2014.04.16
申请号 CN201010251562.5 申请日期 2010.08.12
申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司 发明人 胡晓明
分类号 H01L27/115(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/41(2006.01)I 主分类号 H01L27/115(2006.01)I
代理机构 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人 丁纪铁
主权项 一种MTP器件的单元结构,其特征是,包括选择晶体管、编程晶体管和擦除电容;所述选择晶体管和编程晶体管位于同一个n阱中;所述选择晶体管的源极作为漏端,选择晶体管的栅极作为选择端,选择晶体管的漏极与编程晶体管的源极相连接;所述编程晶体管的栅极延伸出去成为浮栅,该浮栅作为擦除电容的下极板,编程晶体管的漏极与所述n阱相连接作为编程端;擦除电容的上极板为金属,擦除电容的上极板作为擦除端。
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