发明名称 |
MTP器件的单元结构 |
摘要 |
本发明公开了一种MTP器件的单元结构,包括选择晶体管、编程晶体管和擦除电容;所述选择晶体管和编程晶体管位于同一个n阱中;所述选择晶体管的源极作为漏端,选择晶体管的栅极作为选择端,选择晶体管的漏极与编程晶体管的源极相连接;所述编程晶体管的栅极延伸出去成为浮栅,该浮栅作为擦除电容的下极板,编程晶体管的漏极与所述n阱相连接作为编程端;擦除电容的上极板为金属,擦除电容的上极板作为擦除端。本发明可以显著缩小MTP器件的单元结构的版图面积,并显著提高擦除电压,从而提高擦除速度,减少误编程。 |
申请公布号 |
CN102376719B |
申请公布日期 |
2014.04.16 |
申请号 |
CN201010251562.5 |
申请日期 |
2010.08.12 |
申请人 |
上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
胡晓明 |
分类号 |
H01L27/115(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/41(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/115(2006.01)I |
代理机构 |
上海浦一知识产权代理有限公司 31211 |
代理人 |
丁纪铁 |
主权项 |
一种MTP器件的单元结构,其特征是,包括选择晶体管、编程晶体管和擦除电容;所述选择晶体管和编程晶体管位于同一个n阱中;所述选择晶体管的源极作为漏端,选择晶体管的栅极作为选择端,选择晶体管的漏极与编程晶体管的源极相连接;所述编程晶体管的栅极延伸出去成为浮栅,该浮栅作为擦除电容的下极板,编程晶体管的漏极与所述n阱相连接作为编程端;擦除电容的上极板为金属,擦除电容的上极板作为擦除端。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 |