一种单晶硅片湿法刻蚀后不良片的处理方法

摘要

本发明公开了一种单晶硅片湿法刻蚀后不良片的处理方法，A、将刻蚀后的不良片置于紫外灯下照射1-30分钟，紫外灯的功率在100-1000W；B、将照射后的硅片再进行碱制绒，6寸硅片单片减重控制在0.2-0.3g，绒面反射率控制在11-13%；C、将制绒后的硅片进行扩散制结、湿法刻蚀及去磷硅玻璃、镀减反射膜和丝网印刷，制成成品电池。采用本发明的方法对刻蚀后不良片进行处理，成品电池的良品率在90%-93%，电池的平均光电转换效率与正常硅片生产的成品电池基本相同，降低了晶体硅片的报废率，大大节约了生产成本。

主权项

一种单晶硅片湿法刻蚀后不良片的处理方法，其特征在于：其包括以下步骤：A、将刻蚀后的不良片置于紫外灯下照射1‑30分钟，紫外灯的功率在100‑1000W ；B、将照射后的硅片再进行碱制绒，6寸硅片单片减重控制在0.2‑0.3g，绒面反射率控制在11‑13%；C、将制绒后的硅片进行扩散制结、湿法刻蚀及去磷硅玻璃、镀减反射膜和丝网印刷，制成成品电池。