一种用于生长SiC晶体的坩埚

摘要

本实用新型公开了一种用于生长SiC晶体的坩埚，包括：坩埚筒体、坩埚顶盖和坩埚底盖；坩埚筒体包括圆筒状的外筒，外筒底部设有一圈向内延伸的环形底板，外筒内部设置有与外筒平行的圆筒状的内筒，内筒与外筒通过环形底板进行连接，内筒的内部为上下贯通的空槽；坩埚顶盖和坩埚底盖均设有一带开口的空腔；外筒的顶部与坩埚顶盖的空腔开口端可拆卸固定连接；外筒的底部与坩埚底盖的空腔开口端可拆卸固定连接。本实用新型提供的装置可以在坩埚的上下两个坩埚盖上同时生长两块SiC晶体，提高产能；同时，坩埚筒体的内筒是上下贯通的，碳化硅原料在高温下形成的气态物可以顺利通过内筒到达坩埚底盖，两块晶体生长量相近，晶体质量良好。

主权项

一种用于生长SiC晶体的坩埚，包括：坩埚筒体、坩埚顶盖和坩埚底盖，坩埚筒体分别与坩埚顶盖和坩埚底盖可拆卸的固定连接；其特征在于：所述坩埚筒体包括圆筒状的外筒，所述外筒底部设有一圈向内延伸的环形底板，所述外筒内部设置有与所述外筒平行的圆筒状的内筒，所述内筒与所述外筒通过所述环形底板进行连接，所述内筒的内部为上下贯通的空槽；所述坩埚顶盖和所述坩埚底盖均设有一带开口的空腔；所述外筒的顶部与所述坩埚顶盖的空腔开口端可拆卸固定连接；所述外筒的底部与所述坩埚底盖的空腔开口端可拆卸固定连接。