发明名称 |
基于暗角补偿的图像传感器像素阵列及其形成方法 |
摘要 |
本发明一种基于暗角补偿的图像传感器像素阵列及其形成方法,包括多个像素单元,每个像素单元包括光电二极管、传输晶体管栅极和悬浮漏极,所述光电二极管基于入射光产生电荷,所述传输晶体管栅极将所述光电二极管产生的电荷转移至其悬浮漏极,其中,所述光电二极管的注入区和传输晶体管栅极具有一重叠区,以及所述多个像素单元的光电二极管注入区和传输晶体管栅极的重叠区的面积从所述像素阵列的边缘向中心递减。本发明还提供了一种基于暗角补偿的图像传感器像素阵列的形成方法,能有效对图像暗角进行补偿,以提高图像质量。 |
申请公布号 |
CN103730477A |
申请公布日期 |
2014.04.16 |
申请号 |
CN201310753979.5 |
申请日期 |
2013.12.31 |
申请人 |
上海集成电路研发中心有限公司 |
发明人 |
顾学强;周伟;张莉玮 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 |
上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 |
代理人 |
吴世华;林彦之 |
主权项 |
一种基于暗角补偿的图像传感器像素阵列,其特征在于,包括多个像素单元,每个像素单元包括光电二极管、传输晶体管栅极和悬浮漏极,所述光电二极管基于入射光产生电荷,所述传输晶体管栅极将所述光电二极管产生的电荷转移至其悬浮漏极,其中,所述光电二极管的注入区和传输晶体管栅极具有一重叠区,以及所述多个像素单元的光电二极管注入区和传输晶体管栅极的重叠区的面积从所述像素阵列的边缘向中心递减。 |
地址 |
201210 上海市浦东新区浦东张江高斯路497号 |