| 发明名称 | 信号选择电路及包含该信号选择电路的二级比较器 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种信号选择电路及包含该信号选择电路的二级比较器，该信号选择电路包括：第一MOS晶体管，其栅极接收第一输入信号；第二MOS晶体管，其栅极接收第二输入信号，其源极与所述第一MOS晶体管的源极相连；第一压控开关，其输入端与所述第一MOS晶体管的漏极相连，其控制端接收第一控制信号；第二压控开关，其输入端与所述第二MOS晶体管的漏极相连，其控制端接收第二控制信号；其中，所述第一控制信号与第二控制信号反相，所述第一压控开关与第二压控开关的输出端相连作为所述信号选择电路的输出端。本发明能够避免开关切换对输入信号的影响，不需要电容进行滤波，改善了瞬态响应。 | ||
| 申请公布号 | CN103716035A | 申请公布日期 | 2014.04.09 |
| 申请号 | CN201210376043.0 | 申请日期 | 2012.09.28 |
| 申请人 | 华润矽威科技(上海)有限公司 | 发明人 | 樊茂;刘天罡 |
| 分类号 | H03K19/0185(2006.01)I;H03K5/22(2006.01)I | 主分类号 | H03K19/0185(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 陆嘉 |
| 主权项 | 一种信号选择电路，其特征在于，包括：第一MOS晶体管，其栅极接收第一输入信号；第二MOS晶体管，其栅极接收第二输入信号，其源极与所述第一MOS晶体管的源极相连；第一压控开关，其输入端与所述第一MOS晶体管的漏极相连，其控制端接收第一控制信号；第二压控开关，其输入端与所述第二MOS晶体管的漏极相连，其控制端接收第二控制信号；其中，所述第一控制信号与第二控制信号反相，所述第一压控开关与第二压控开关的输出端相连作为所述信号选择电路的输出端。 | ||
| 地址 | 200333 上海市闵行区紫秀路100号1号楼10楼 | ||