稳定栅极介电层前藉由扩散栅极介电覆盖层调整复杂晶体管的阈值电压

摘要

为形成复杂栅极电极结构，可提供包括所欲的成分种类的覆盖层(121)，在执行处理以稳定敏感栅极介电材料(110)之前，该所欲的成分种类可扩散进入该栅极介电材料(110)。以此方式，相较传统技术，针对阈值调整成分种类，可基于降低的温度及剂量形成复杂高k栅极电极结构。而且，可针对两种类型的晶体管沉积单一含金属电极材料。

主权项

一种制造集成电路的方法，包括：在半导体装置的半导体区域上方形成栅极介电材料（110），该栅极介电材料（110）包括高k介电材料；在该栅极介电材料（110）上方形成含金属材料（121），该含金属材料（121）包括阈值调整成分种类；执行热处理（105）以使部分该阈值调整成分种类扩散进入该栅极介电材料（110）；自该栅极介电材料（110）上方去除该含金属材料（121）；在执行该热处理（105）后，执行处理（107）以稳定该栅极介电材料（110）；在该栅极介电材料（110）上形成含金属电极材料（113）；以及基于该含金属电极材料（113）及该栅极介电材料（110）形成晶体管的栅极电极结构（115）。