SRAM存储单元、SRAM存储单元写操作方法及SRAM存储器

摘要

本发明公开了一种SRAM存储单元、SRAM存储单元写操作方法及SRAM存储器。所述SRAM存储单元包括：数据锁存器、选择控制器、第一传输管及第二传输管，所述选择控制器与所述数据锁存器的电源相连，用于控制所述数据锁存器的电源与电源电压相连或者与地电平相连。所述写操作方法包括：在对所述SRAM存储单元进行写操作之前，对所述SRAM存储单元清零，使第一存储节点和第二存储节点放电至地电平。本发明可以提高SRAM存储单元写操作的可靠性，降低写操作时的瞬时功耗。

主权项

一种SRAM存储单元，其特征在于，包括：数据锁存器，所述数据锁存器包括第一存储节点和第二存储节点；选择控制器，所述选择控制器与所述数据锁存器的电源相连，用于控制所述数据锁存器的电源与电源电压相连或者与地电平相连；第一传输管，所述第一传输管位于第一位线与所述第一存储节点之间；第二传输管，所述第二传输管位于第二位线与所述第二存储节点之间；所述第一传输管的栅极和所述第二传输管的栅极均与字线相连。