| 发明名称 | MOS晶体管及其制作方法 | ||
| 摘要 | 一种MOS晶体管及其制作方法。所述MOS晶体管制作方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构；刻蚀所述栅极结构两侧的半导体衬底以形成源漏区开口，所述源漏区开口一侧边缘与栅极结构的边缘对准，并使得半导体衬底部分露出；对所述半导体衬底进行倾斜角度的离子注入，在栅极结构边缘下方的半导体衬底中形成非晶区；在所述源漏区开口中填满源漏材料以形成源漏区；对所述半导体衬底进行退火处理。本发明的MOS晶体管在栅极结构边缘下方的半导体衬底中形成了具有应力的单晶区，所述单晶区更靠近导电沟道，从而更有效的将引入的应力作用于所述导电沟道中，所述引入的应力提高了导电沟道的载流子迁移率。 | ||
| 申请公布号 | CN102420139B | 申请公布日期 | 2014.04.02 |
| 申请号 | CN201010299349.1 | 申请日期 | 2010.09.25 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 何永根;胡亚兰;吴兵 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种MOS晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构；刻蚀所述栅极结构两侧的半导体衬底以形成源漏区开口，所述源漏区开口一侧边缘与栅极结构的边缘对准，并使得半导体衬底部分露出；对所述半导体衬底进行倾斜角度的离子注入，在栅极结构边缘下方的半导体衬底中形成非晶区；其中，所述MOS晶体管为PMOS晶体管，所述离子注入的注入离子采用晶格常数大于半导体衬底材料的半导体离子；所述MOS晶体管为NMOS晶体管，所述离子注入的注入离子采用晶格常数小于半导体衬底材料的半导体离子；在所述源漏区开口中填满源漏材料以形成源漏区；对所述半导体衬底进行退火处理。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||