可在保险条件和容限条件下工作的浮阱电路

摘要

一种电路包括：第一比较器块，被配置输出等于电源电压和偏压中的较高者的电压；第二比较器块，被配置输出等于偏压和通过IO垫提供的外部电压中的较高者的电压；以及第三比较器块，被配置输出等于第一比较器块的输出和第二比较器块的输出中的较高者的电压。在正常操作、保险操作和容限操作中的每个操作期间，第一比较器块、第二比较器块和第三比较器块中每个比较器块的一个或多个构成有源元件上的电压在其上容限值内。

主权项

一种缓冲器电路，包括：第一比较器块，被配置成输出与电源电压和偏压中的较高者相等的电压；第二比较器块，被配置成输出与所述偏压和通过IO垫提供的外部电压中的较高者相等的电压；以及第三比较器块，被配置成输出与所述第一比较器块的输出和所述第二比较器块的输出中的较高者相等的电压；其中在正常操作、保险操作和容限操作中的每个操作期间，所述第一比较器块、所述第二比较器块和所述第三比较器块中每个比较器块的至少一个构成有源元件上的电压在所述构成有源元件的上容限值内，其中所述保险操作是所述电源电压为零的模式；并且其中所述容限操作是通过所述IO垫提供的所述外部电压在零至比所述电源电压高的值之间变化的模式；其中所述第一比较器块、所述第二比较器块和所述第三比较器块中每个比较器块的所述至少一个构成有源元件是金属氧化物半导体晶体管；其中所述第一比较器块、所述第二比较器块和所述第三比较器块每个都包括：第一PMOS晶体管，被配置成在所述第一PMOS晶体管的源极终端和漏极终端之一处接收第一电压；以及第二PMOS晶体管，被配置成在所述第二PMOS晶体管的源极终端和漏极终端之一处接收第二电压，其中所述第一PMOS晶体管的源极终端和漏极终端中未被配置成接收所述第一电压的终端被耦合到所述第二PMOS晶体管的源极终端和漏极终端中未被配置成接收所述第二电压的终端，其中所述第一PMOS晶体管的体终端被配置成耦合到所述第二PMOS晶体管的体终端，其中所述第一PMOS晶体管的栅极终端被配置成耦合到所述第二PMOS晶体管的源极终端和漏极终端中被配置成接收所述第二电压的终端，并且其中所述第二PMOS晶体管的栅极终端被配置成耦合到所述第一PMOS晶体管的源极终端和漏极终端中被配置成接收所述第一电压的终端。