具有光调变功能之半导体发光组件及其制造方法

摘要

本发明揭露一种具有光调变功能之半导体发光组件及其制造方法。根据本发明之半导体发光组件包含一发光层以及一超顺磁性层。该发光层用以发射一第一光。特别地，当该第一光通过该超顺磁性层时，该第一光之一部分被该超顺磁性层以磁光效应调变成一第二光。于一些具体实施例中，该半导体发光组件系设计成该第一光未调变成该第二光之部分与该第二光混光成一第三光，例如白光。

主权项

一种半导体发光组件，其特征在于所述半导体发光组件包含：一基材，该基材具有一上表面以及一下表面；一多层结构，该多层结构系形成于该基材之该上表面上，该多层结构包含一发光层，该发光层用以发射一第一光，该多层结构具有一顶表面；以及一第一超顺磁性层，该第一超顺磁性层系形成于该多层结构之该顶表面上及/或形成于该基材之该下表面上，其中当该第一光通过该第一超顺磁性层时，该第一光之一部分被该第一超顺磁性层以磁光效应调变成一第二光。