发明名称 过压保护电路
摘要 本发明公开了一种过压保护电路。该电路包括电压输入端(VIN)和电压输出端(VOUT),在电压输入端(VIN)和电压输出端(VOUT)之间串接一第一电阻(R1),其特征在于,还包括与所述第一电阻(R1)并联一调压电路,所述调压电路包括第一NPN双极型三极管(N1)、第二NPN双极型晶体管(N2)、第一PNP双极型晶体管(P1)、第二PNP双极型晶体管(P2)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第一雪崩二极管或第一齐纳二极管(D1)、第二雪崩二极管或第二齐纳二极管(D2)。本发明的有益效果是:电路结构简单,所需器件和节点较少,减小成本和功耗,减少坏点风险。
申请公布号 CN103683183A 申请公布日期 2014.03.26
申请号 CN201210344421.7 申请日期 2012.09.18
申请人 郑州单点科技软件有限公司 发明人 周晓东;桑园;余力
分类号 H02H3/20(2006.01)I 主分类号 H02H3/20(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种过压保护电路,包括电压输入端(VIN)和电压输出端(VOUT),在电压输入端(VIN)和电压输出端(VOUT)之间串接一第一电阻(R1),其特征在于,还包括与所述第一电阻(R1)并联一调压电路,所述调压电路包括第一NPN双极型三极管(N1)、第二NPN双极型晶体管(N2)、第一PNP双极型晶体管(P1)、第二PNP双极型晶体管(P2)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第一雪崩二极管或第一齐纳二极管(D1)、第二雪崩二极管或第二齐纳二极管(D2);所述第二电阻(R2)串接于第一NPN双极型晶体管(N1)的源极和基极之间;所述电压输入端(VIN)连接至第一NPN双极型晶体管(N1)的基极、第二PNP双极型晶体管(P2)的集电极和第一雪崩二极管或第一齐纳二极管(D1)的正极端;所述第一雪崩二极管或第一齐纳二极管(D1)的负极端连接至第一NPN双极型晶体管(N1)的集电极和第二PNP双极型晶体管(P2)的基极;所述电压输出端(VOUT)连接至第一NPN双极型晶体管(N1)的源极和第一PNP双极型晶体管(P1)的源极;所述第三电阻(R3)串接与第二NPN双极型晶体管(N2)的基极和源极之间;第二雪崩二极管或第二齐纳二极管(D2)的正极端连接至第一PNP双极型晶体管(P1)的集电极和第二NPN双极型晶体管(N2)的基极,负极端连接至第一PNP双极型晶体管(P1)的基极和第二NPN双极型晶体管(N2)的集电极;所述第二NPN双极型晶体管(N2)的源极和第二PNP双极型晶体管(P2)的源极均接地。
地址 450016 河南省郑州市经济技术开发区第八大街信息产业园1228室