| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件，包括衬底、形成于所述衬底上表面的绝缘层、形成于所述绝缘层上的至少一个金属互连层，所述半导体器件还包括形成于所述衬底下表面的至少一个金属层。本发明通过在衬底的下表面形成至少一个金属层，来与形成于衬底上表面的金属互连层形成平板电容，通过将该平板电容连接到半导体器件的输入或输出端，来实现对半导体器件的输入或输出阻抗到目标阻抗的匹配。本发明还提供了这种半导体器件的制造方法，可以便捷且高效地实现半导体器件的输入或输出端的阻抗匹配。 | ||
| 申请公布号 | CN103681788A | 申请公布日期 | 2014.03.26 |
| 申请号 | CN201310739611.3 | 申请日期 | 2013.12.27 |
| 申请人 | 上海贝岭股份有限公司 | 发明人 | 林敏之;陈铭;陈伟;徐维;赖海波 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L23/64(2006.01)I;H01L23/495(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京金信立方知识产权代理有限公司 11225 | 代理人 | 刘锋;黄小栋 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括衬底、形成于所述衬底上表面的绝缘层、形成于所述绝缘层上的至少一个金属互连层，其特征在于，所述半导体器件还包括形成于所述衬底下表面的至少一个金属层。 | ||
| 地址 | 200233 上海市徐汇区宜山路810号 | ||