具有垂直定向纳米棒的泄漏降低的DRAM存储器单元及其制造方法

摘要

本发明描述用于在半导体存储器存储单元中降低泄漏电流的方法及结构。可在存取晶体管(400)的沟道区(403)中使用垂直定向的纳米棒(410)。可使纳米棒直径足够小以使所述存取晶体管的所述沟道区中的电子带隙能量增加，从而可用以在所述存取晶体管的关闭状态下限制沟道泄漏电流。在各种实施例中，所述存取晶体管可电耦合到双面电容器(425)。本发明还揭示根据本发明实施例的存储器装置及包括所述装置的系统。

主权项

一种存储器单元，其包含：垂直沟道，其在所述垂直沟道的第一端处耦合到电容器和在第二端处耦合到SiC间隔层，所述垂直沟道包括至少一个纳米棒，其中每一纳米棒包括半导体材料的垂直传送区，所述垂直沟道经配置以增加形成所述沟道的材料的本征带隙能量，其中所述半导体材料包括SiGeC，所述SiGeC接触且垂直延伸自所述SiC间隔层；电介质，其围绕所述垂直沟道，所述电介质包括一个以上Mo、W、Ta的氮氧化物；及场电极，其使用所述电介质而耦合到所述垂直沟道，所述场电极是栅极导体。