二极管及制造二极管的方法

摘要

本发明涉及二极管及其制造方法。所述二极管包括：第一半导体层，由包含第一导电型杂质的化合物半导体构成；高位错密度区域；第二半导体层，层叠于所述第一半导体层上，并在与所述第一半导体层的界面侧区域中具有低于所述第一半导体层的杂质浓度，所述第二半导体层具有开口，所述开口中对应于所述高位错密度区域的部分被移除；绝缘膜图案，被设置成覆盖所述开口的内壁；电极，被设置成覆盖所述绝缘膜图案并接触所述第二半导体层；以及对向电极，被设置成使得所述第一半导体层、所述第二半导体层及所述绝缘膜图案被夹持在所述电极与所述对向电极之间。根据本发明，能够安全地防止由化合物半导体构成的半导体层中的经由穿透位错区域出现的漏电流。

主权项

一种二极管，其特征在于，包括：第一半导体层，所述第一半导体层由包含第一导电型的杂质的化合物半导体构成；高位错密度区域，所述高位错密度区域沿膜厚度方向贯穿所述第一半导体层；第二半导体层，所述第二半导体层具有与所述第一半导体层连续的晶体结构，所述第二半导体层层叠于所述第一半导体层上，并且所述第二半导体层的位于所述第二半导体层与所述第一半导体层之间的界面一侧的区域中具有比所述第一半导体层的杂质浓度低的杂质浓度，所述第二半导体层具有开口，所述开口中的对应于所述高位错密度区域的部分被移除，使得所述第一半导体层暴露；绝缘膜图案，所述绝缘膜图案被设置成覆盖所述开口的包括底部在内的内壁；电极，所述电极被设置成覆盖所述绝缘膜图案并接触所述第二半导体层；以及对向电极，所述对向电极被设置成使得所述第一半导体层、所述第二半导体层和所述绝缘膜图案被夹持在所述电极与所述对向电极之间，以便所述对向电极与包括所述高位错密度区域在内的所述第一半导体层接触。