发明名称 |
一种阵列基板、制备方法以及显示装置 |
摘要 |
本发明属于显示技术领域,涉及一种阵列基板、制备方法以及显示装置。一种阵列基板,包括基板以及设置于所述基板上的薄膜晶体管和存储电容,所述薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极以及设置于所述源极、所述漏极与所述栅极之间的栅绝缘层,所述存储电容包括第一极板、第二极板以及设置于所述第一极板与所述第二极板之间的电介质层,其中,所述第一极板与所述第二极板均采用金属材料形成,所述电介质层与所述栅绝缘层采用相同的材料形成。该阵列基板相比现有技术中阵列基板的制备方法,减少了两次构图工艺和一次离子注入工艺,简化了阵列基板的制作流程;同时,能提高阵列基板中存储电容CS的充电速度,同时提高显示装置的显示质量。 |
申请公布号 |
CN103681659A |
申请公布日期 |
2014.03.26 |
申请号 |
CN201310606817.9 |
申请日期 |
2013.11.25 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司 |
发明人 |
徐文清;田慧;许晓伟 |
分类号 |
H01L27/02(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 |
代理人 |
彭瑞欣;陈源 |
主权项 |
一种阵列基板,包括基板以及设置于所述基板上的薄膜晶体管和存储电容,所述薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极以及设置于所述源极、所述漏极与所述栅极之间的栅绝缘层,所述存储电容包括第一极板、第二极板以及设置于所述第一极板与所述第二极板之间的电介质层,其特征在于,所述第一极板与所述第二极板均采用金属材料形成,所述电介质层与所述栅绝缘层采用相同的材料形成。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |