| 摘要 |
인장 변형된 게르마늄이 제공되며 이는 거의 직접 밴드 갭 물질 또는 직접 밴드 갭 물질을 제공하기에 충분하도록 변형된다. 게르마늄 영역과 접촉하는 압축 스트레스된 또는 인장 스트레스된 스트레서 물질이 게르마늄 영역 내 단축 또는 2축 인장 변형을 유도한다. 스트레서 물질은 실리콘 나이트라이드 또는 실리콘 게르마늄을 포함할 수 있다. 산출된 변형된 게르마늄 구조물은 예를 들면, 레이저를 제공하기 위하여 공진 캐비티 내에 광자를 발생시키는 것을 비롯하여, 광자를 방출 또는 검출하기 위하여 사용될 수 있다. |
