发明名称 POLISHING SOLUTION FOR CMP AND POLISHING METHOD USING THE POLISHING SOLUTION
摘要 <p>본 발명에 관한 CMP용 연마액은, 지립과, 첨가제와, 물을 함유하는 것이며, 첨가제로서 소정의 조건을 만족하는 유기 화합물이 배합되어 있다. 본 발명에 관한 연마방법은, 표면에 산화규소막을 가지는 기판을 대상으로 한 것이며, 상기 CMP 연마액을 산화규소막과 연마패드와의 사이에 공급하면서, 연마패드에 의해서 산화규소막의 연마를 행하는 공정을 구비한다.</p>
申请公布号 KR101377902(B1) 申请公布日期 2014.03.24
申请号 KR20137013067 申请日期 2009.12.10
申请人 发明人
分类号 B24B37/00;C09K3/14;H01L21/304 主分类号 B24B37/00
代理机构 代理人
主权项
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