| 摘要 |
L'invention concerne un circuit électronique de fourniture d'une tension ou d'un courant variant de façon linéaire en fonction de la température dans une plage de températures, comprenant au moins deux transistors MOS (RVT, LVT) identiques traversés par le même courant de drain, chaque transistor ayant un canal (28) complètement déplété qui est séparé d'une région semiconductrice dopée (48, 50) par une couche isolante (16, 18), les types de conductivité des dopants desdites régions semiconductrices dopées étant différents, ladite tension ou ledit courant étant proportionnel à la différence entre les tensions grille-source/drain des deux transistors. |
