硅通孔形成方法

摘要

一种硅通孔形成方法，包括：根据待形成的硅通孔获取第一刻蚀阶段和与第二刻蚀阶段；在第一刻蚀温度下，在第一刻蚀阶段采用第一博世工艺对所述硅衬底进行刻蚀，形成第一通孔；在第二刻蚀温度下，在第二刻蚀阶段沿第一通孔采用第二博世工艺对所述硅衬底进行刻蚀直至形成硅通孔，所述第二博世工艺包括：采用第一刻蚀对所述硅衬底进行刻蚀，形成开口；采用钝化沉积在所述开口的侧壁和底部形成保护层；依次循环采用所述第一刻蚀、钝化沉积直至形成硅通孔；其中，第二刻蚀温度小于第一刻蚀温度，或第二刻蚀温度大于第一刻蚀温度。本发明的硅通孔形成方法形成的硅通孔质量高。

主权项

一种硅通孔形成方法，其特征在于，提供待刻蚀硅衬底；根据待形成的硅通孔获取第一刻蚀阶段和与第一刻蚀阶段对应的第二刻蚀阶段；在第一刻蚀温度下，在第一刻蚀阶段采用第一博世工艺对所述硅衬底进行刻蚀，所述第一博世工艺包括：采用第一刻蚀对所述硅衬底进行刻蚀，形成开口；采用钝化沉积在所述开口的侧壁和底部形成保护层；依次循环采用所述第一刻蚀、钝化沉积直至第一刻蚀阶段完成，形成第一通孔；在第二刻蚀温度下，在第二刻蚀阶段沿第一通孔采用第二博世工艺对所述硅衬底进行刻蚀直至形成硅通孔，所述第二博世工艺包括：采用第一刻蚀对所述硅衬底进行刻蚀，形成开口；采用钝化沉积在所述开口的侧壁和底部形成保护层；依次循环采用所述第一刻蚀、钝化沉积直至形成硅通孔；其中，第二刻蚀温度小于第一刻蚀温度，或第二刻蚀温度大于第一刻蚀温度。