用于制作多晶硅栅结构的方法

摘要

本发明提供一种用于制作多晶硅栅结构的方法，包括：提供前端器件结构，该前端器件结构上形成有多晶硅层且该多晶硅层的自其表面至预定深度之间的部分中预掺杂有杂质；在多晶硅层的表面上形成掩蔽层，且在掩蔽层上形成具有图案的光致抗蚀剂层；以光致抗蚀剂层为掩膜，对掩蔽层和多晶硅层进行第一蚀刻，其中多晶硅层被蚀刻的深度大于预定深度并且小于多晶硅层的厚度；去除光致抗蚀剂层；在掩蔽层的侧壁和多晶硅层的侧壁上形成侧壁氧化层；以掩蔽层和侧壁氧化层为掩膜，对多晶硅层进行第二蚀刻，直至露出前端器件结构的表面。根据本发明的方法能够形成具有精准线宽和较佳LER的多晶硅栅结构，从而提高半导体器件的电学性能。

主权项

一种用于制作多晶硅栅结构的方法，所述方法包括：a)提供前端器件结构，所述前端器件结构上形成有多晶硅层，并且所述多晶硅层的自其表面至预定深度之间的部分中预掺杂有杂质；b)在所述多晶硅层的表面上形成掩蔽层，并且在所述掩蔽层上形成具有图案的光致抗蚀剂层；c)以所述光致抗蚀剂层作为掩膜，对所述掩蔽层和所述多晶硅层进行第一蚀刻，其中，所述第一蚀刻的源气体包含CF4、SF6、CH2F2和CHF3，所述多晶硅层被蚀刻的深度大于所述预定深度并且小于所述多晶硅层的厚度；d)去除所述光致抗蚀剂层；e)在所述掩蔽层的侧壁和所述多晶硅层的侧壁上形成侧壁氧化层；以及f)以所述掩蔽层和所述侧壁氧化层作为掩膜，对所述多晶硅层进行第二蚀刻，直至露出所述前端器件结构的表面；其中，所述第二蚀刻的源气体包含HBr。