一种LED外延结构及其应用

摘要

发明提供了一种LED外延结构，自下而上依次包括：衬底、GaN成核层、GaN缓冲层、n型GaN层、有源层、p型GaN层以及p型接触层；所述有源层具有由至少两对MQW发光层组成，所述MQW发光层包括由AlGaN/n-GaN交替堆叠组成的超晶格量子垒层及由InGaN构成的量子阱层，所述AlGaN/n-GaN超晶格量子垒层对中Al组分值呈线性平稳上升再线性平稳下降趋势，n型杂质浓度值呈线性平稳上升再线性平稳下降趋势。本发明的有益效果主要体现在：可有效提高MQW晶格质量，大幅增加有源层中每个量子阱的电子或空穴的俘获几率，有效降低器件Droop负效应影响，提高LED器件的内量子效率的目的，可很好的应用在高功率器件中，并保持器件的高光效值。

主权项

一种LED外延结构，自下而上依次包括：衬底、GaN成核层、GaN缓冲层、n型GaN层、有源层、p型GaN层以及p型接触层；其特征在于：所述有源层具有由至少两对MQW发光层组成，所述MQW发光层包括由AlGaN/n‑GaN交替堆叠组成的超晶格量子垒层及由InGaN构成的量子阱层，所述AlGaN/n‑GaN超晶格量子垒层对中Al组分值呈线性平稳上升再线性平稳下降趋势，n型杂质浓度值呈线性平稳上升再线性平稳下降趋势。