| 发明名称 | 制备失效分析样品的方法 | ||
| 摘要 | 种制备失效分析样品的方法，包括：提供样品，所述样品包括待分析结构，所述样品具有第一表面，所述第一表面暴露出待分析结构；在所述第一表面上形成第一预定厚度的重金属层；在形成第一预定厚度的重金属层后，将所述样品一分为二，选择其中之一作为待分析样品，所述待分析样品具有与所述第一表面相邻的第二表面，所述第二表面暴露出所述待分析结构；在所述待分析样品的第二表面上形成第二预定厚度的重金属层；所述重金属层的材料选自金、铂或者铬。在对该方法制备的样品进行失效分析时，基本能消除引起低介电常数材料、超低介电常数材料引起变形的因素，可以保持样品原状，提供有效的分析数据。 | ||
| 申请公布号 | CN102384867B | 申请公布日期 | 2014.03.12 |
| 申请号 | CN201010275159.6 | 申请日期 | 2010.09.02 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 虞勤琴;史燕萍;朱敏;王玉科 |
| 分类号 | G01N1/28(2006.01)I | 主分类号 | G01N1/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种制备失效分析样品的方法，其特征在于包括：提供样品，所述样品包括待分析结构，所述样品具有第一表面，所述第一表面暴露出所述待分析结构，所述待分析结构为低介电常数/超低K介电常数介质层中的通孔；2.7<K<3为低介电常数，K<2.7为超低介电常数；在所述第一表面上形成第一预定厚度的重金属层，所述第一预定厚度为100埃±20埃；在形成第一预定厚度的重金属层后，将所述样品一分为二，选择其中之一作为待分析样品，所述待分析样品具有与所述第一表面相邻且垂直的第二表面，所述第二表面暴露出所述待分析结构；在所述待分析样品的第二表面上形成第二预定厚度的重金属层，所述第二预定厚度为15埃±5埃；所述重金属层的材料选自金、铂或者铬。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||