质量分析装置

摘要

进行特定离子的析出或者通过CID进行分裂操作时，如以往那样通过对环形电极(31)施加高频高电压来捕获离子。在离子阱(3)内蓄积了目标离子的状态下，在向TOFMS(4)射出离子之前的冷却过程中，通过对端盖电极(32、34)而不是对环形电极(31)施加高频高电压来捕获离子。此时，与向环形电极(31)施加电压的方法相比，通过提高频率的同时还增大振幅，来确保较大的伪电位势垒并且维持LMC。由此，冷却后的离子的空间分布变窄，离子射出时的初始位置的偏差变小，从而质量分辨率提高。另一方面，由于能够与以往同样地对高m/z的离子以较高的qz值进行离子的析出，因此也能够确保较高的质量选择性。

主权项

一种质量分析装置，具备离子阱和飞行时间型质量分析器，该离子阱由环形电极以及一对端盖电极构成，该飞行时间型质量分析器对从该离子阱射出的离子进行质量分析，其中，该质量分析装置的特征在于，具备：(a)环形电压施加单元，其用于对上述环形电极施加振幅为100V以上的用于捕获离子的高频高电压；(b)端盖高频高电压施加单元，其用于对上述端盖电极施加振幅为100V以上的高频高电压；(c)端盖直流电压施加单元，其用于对上述端盖电极施加直流电压；(d)气体导入单元，其向上述离子阱内导入冷却气体；(e)冷却控制单元，其在通过从上述环形电压施加单元对上述环形电极施加高频高电压而在上述离子阱内捕获到分析对象离子的状态下，通过上述气体导入单元将冷却气体导入到该离子阱内，并且停止对上述环形电极施加电压，另外通过上述端盖高频高电压施加单元对上述一对端盖电极施加相同相位的高频高电压，由此来执行离子的冷却；以及(f)射出控制单元，其在执行上述冷却后，通过上述端盖直流电压施加单元对上述端盖电极施加直流电压来对离子赋予动能，从而使离子从上述离子阱射出。