发明名称 |
整合CMOS-FTIR测定及拉曼测定的光谱仪及其方法 |
摘要 |
发明公开一种位在一硅晶绝缘体(SOI)晶圆上,以CMOS技术整合的傅立叶转换红外光(FTIR)光谱仪。本发明完全整合于一精巧、微型、低成本及CMOS制造兼容芯片。本发明可在1.1μm到15μm范围内的各种红外光区运作,或可一次覆盖1.1μm到15μm的全光谱。所述CMOS-FTIR光谱仪具有高光学分辨率,无可移动部件,无光学镜片,精巧,在恶劣外部环境下不易损坏之特性,以及可用标准CMOS技术制造,使得FTIR光谱仪可大量生产。所述完全整合CMOS-FTIR光谱仪可用电池运作,所需的功能可用标准CMOS技术集成到单一芯片上。本公开发明的FTIR光谱仪亦可改造成一CMOS-拉曼光谱仪。 |
申请公布号 |
CN103635785A |
申请公布日期 |
2014.03.12 |
申请号 |
CN201280018360.3 |
申请日期 |
2012.02.14 |
申请人 |
勒克思马克斯科技公司 |
发明人 |
杨纳森·丹特勒;欧尔理·亚迪德-佩科特 |
分类号 |
G01J3/12(2006.01)I;G01J3/433(2006.01)I;G01J3/44(2006.01)I;G02B27/10(2006.01)I;G02B6/12(2006.01)I;H01L31/16(2006.01)I |
主分类号 |
G01J3/12(2006.01)I |
代理机构 |
上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 |
代理人 |
翟羽 |
主权项 |
一种光谱仪,其特征在于,包含:(a)分隔成N个波长间隔Δλi,i=1,..,N的宽带红外光信号,使得每一波长间隔仅以其基本模式传播;以及(b)在硅波导中经由调变而产生干涉图的装置。 |
地址 |
加拿大阿尔伯塔省卡加利市理查德德路西南300之5号 |