| 发明名称 | 一种等离子刻蚀方法 | ||
| 摘要 | 发明提出了一种在反应腔室内对基片进行刻蚀的等离子刻蚀方法，包括如下步骤：S1：在第一沉积条件下利用沉积气体对所述基片进行第一预定时间T1的沉积；S2：在第一刻蚀条件下利用刻蚀气体和所述沉积气体对所述基片进行第二预定时间T2的刻蚀；S3：循环步骤S1和S2第一预定次数N1；S4：在第二沉积条件下利用所述沉积气体对所述基片进行第三预定时间T3的沉积；S5：在第二刻蚀条件下利用刻蚀气体和所述沉积气体对所述基片进行第四预定时间T4的刻蚀；和S6：循环步骤S4和S5第二预定次数N2。根据本发明实施例的刻蚀方法，可减小线宽损失且使得刻蚀侧壁垂直且连续。 | ||
| 申请公布号 | CN103628075A | 申请公布日期 | 2014.03.12 |
| 申请号 | CN201210302440.3 | 申请日期 | 2012.08.23 |
| 申请人 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 谢秋实 |
| 分类号 | C23F4/00(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 主分类号 | C23F4/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人 | 宋合成;黄德海 |
| 主权项 | 一种在反应腔室内对基片进行刻蚀的等离子刻蚀方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：在第一沉积条件下利用沉积气体对所述基片进行第一预定时间T1的沉积；S2：在第一刻蚀条件下利用刻蚀气体和所述沉积气体对所述基片进行第二预定时间T2的刻蚀；S3：循环步骤S1和S2第一预定次数N1；S4：在第二沉积条件下利用所述沉积气体对所述基片进行第三预定时间T3的沉积；S5：在第二刻蚀条件下利用刻蚀气体和所述沉积气体对所述基片进行第四预定时间T4的刻蚀；和S6：循环步骤S4和S5第二预定次数N2。 | ||
| 地址 | 100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号 | ||