发明名称 多整流桥并联的均流控制电路结构
摘要 种多整流桥并联的均流控制电路结构,用于对相互并联的可控硅整流桥之间进行均流控制,其特征是:包括延时控制模块,用于对所控制的可控硅进行触发导通的移相延时控制;和振荡模块,用于产生和输出对应可控硅的触发脉冲信号;所述延时控制模块的输出端与所述振荡模块的启动控制端连接,所述延时控制模块设有相互并联的多路通过开关连接的阻容模块,用于组合设置多种延时选择。本实用新型不但能使得两套或多套整流桥并联均流,而且能使所有并联的桥臂之间均流,可以针对每个可控硅的控制角进行不同的延时处理,完全不受可控硅元件的导通特性的影响,在生产调试和现场调试中均可以很方便地进行调整,均流系数达到了0.9以上。
申请公布号 CN203482131U 申请公布日期 2014.03.12
申请号 CN201320620101.X 申请日期 2013.10.09
申请人 武汉陆水科技开发有限公司 发明人 高雄清;赵月啟;宋宴明;胡海燕;肖凯;陈迅;王爱丽
分类号 H02P9/14(2006.01)I 主分类号 H02P9/14(2006.01)I
代理机构 武汉楚天专利事务所 42113 代理人 雷速
主权项 一种多整流桥并联的均流控制电路结构,用于对相互并联的可控硅整流桥之间进行均流控制,其特征是:包括延时控制模块(1),用于对所控制的可控硅进行触发导通的移相延时控制;和振荡模块(2),用于产生和输出对应可控硅的触发脉冲信号;所述延时控制模块(1)的输出端与所述振荡模块(2)的启动控制端连接,所述延时控制模块(1)设有相互并联的多路通过开关连接的阻容模块,用于组合设置多种延时选择。
地址 430074 湖北省武汉市光谷大道58号光谷总部国际7栋6楼
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