Floating gate metal-oxide-semiconductor transistor for use in integrated circuit in microelectronics field, has channel formation area whose internal surface is covered with conducting gate, which is covered by another conducting gate

摘要

L'invention concerne un transistor MOS à grille flottante comprenant une région semiconductrice de formation de canal (1) en forme de "U" et des régions de source et de drain (7, 13) de même forme de "U" accolées de part et d'autre de la région de formation de canal, la surface interne (4) de la région semiconductrice de formation de canal étant revêtue d'une première grille conductrice (19) isolée elle-même revêtue d'une seconde grille conductrice (20) isolée.