一种快恢复二极管及其制造方法

摘要

本发明涉及一种电力半导体器件及其制造方法，具体涉及一种快恢复二极管及其制造方法。本发明在有源区进行推结形成P+区和P区，推结形成过程包括，第一步进行硼注入，推结1-10um，第二步进行磷补偿注入，磷注入条件要求推结后只降低靠近硅表面处P区浓度但不足以使其反型，通过有源区补偿注入形成表面浓度低的P区，这样在保证PN结两侧浓度的情况下降低了正向导通时P区空穴注入量，在采用少子寿命控制时可不需要生成过多的复合中心，由此会带来一系列参数的优化。本发明提供的快恢复二极管及其制造方法，通过对P区进行磷补偿注入的方式实现P区表面浓度降低，从而实现正向导通时注入空穴数量的减少。

主权项

一种快恢复二极管，所述快恢复二极管包括衬底和P区，所述P区在衬底上形成，共同构成PN结，其特征在于，所述P区包括由上到下依次设置的磷离子补偿注入层和硼离子注入层；所述磷离子补偿注入层能够实现P区表面浓度降低，所述快恢复二极管正向导通时注入空穴数量减少； 所述衬底为均匀掺杂的N型硅衬底，所述N型硅衬底包括从上到下依次分布的衬底N‑层以及衬底N+层；在所述衬底N‑层上生长有氧化层。