发明名称 一种基于共振隧穿机制的失调馈送缝隙阵列天线
摘要 本发明公开了一种基于共振隧穿机制的失调馈送缝隙阵列天线,属于天线领域。本发明包括失调馈送缝隙阵列天线,两个共振隧穿二极管(RTD)。共振隧穿二极管作为激励器件,用于产生太赫兹(THz)波;失调馈送缝隙阵列天线作为电磁波发射器件,用于把共振隧穿二极管产生的太赫兹波发射出去。所述RTD1和RTD2的上电极通过热沉与分别与对应的失调馈送缝隙天线的左电极相连;所述RTD1和RTD2的下电极分别与对应的失调馈送缝隙天线的右电极相连。本发明可以大幅度提高RTD与失调馈送缝隙天线结合后形成的THz振荡器的输出功率,在超高速数据链路传输、无线通信和军事国防等领域具有重要应用。
申请公布号 CN103618148A 申请公布日期 2014.03.05
申请号 CN201310631828.2 申请日期 2013.11.27
申请人 天津工业大学 发明人 李建雄;李运祥;陈晓宇;刘崇;袁文东;冯鑫
分类号 H01Q13/10(2006.01)I;H01Q1/22(2006.01)I;H01Q5/01(2006.01)I 主分类号 H01Q13/10(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种基于共振隧穿机制的失调馈送缝隙阵列天线,该天线系统包括两个失调馈送缝隙天线,两个共振隧穿二极管(RTD),其特征是:所述阵列天线由两个失调馈送缝隙天线构成,所谓失调馈送缝隙天线,就是通过改变RTD偏离缝隙中心的距离,可以满足RTD在不同频段的振荡,从而实现RTD与失调馈送缝隙天线结合形成的THz振荡器满足发射不同频段的太赫兹(THz)波的要求;所述RTD1和RTD2的上电极通过热沉分别与失调缝隙天线1和失调馈送缝隙天线2的左电极相连;所述RTD1和RTD2的下电极分别与失调馈送缝隙天线1和失调馈送缝隙天线2的右电极相连;左右电极之间插入二氧化硅,形成MIM(金属‑绝缘介质‑金属)反射器;两个失调馈送缝隙天线之间引入一个MIM反射器,同时在MIM反射器的右电极开了一个T型缝隙,T型缝隙起到耦合作用;RTD1和RTD2与对应的失调馈送缝隙天线1和失调馈送缝隙天线2结合后形成两个THz振荡器,二者要同时振荡并且频率相同,这样振荡阵列可以产生一个较大的输出功率。
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