| 摘要 |
Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterspeicherbauelementes, bei dem auf einer Hauptseite eines Substrates (1) aus Halbleitermaterial eine Ätzstoppschicht (3) aufgebracht wird, ein Pad-Oxid (4) auf die Ätzstoppschicht (3) aufgebracht wird, eine CMP-Stoppschicht (5) auf das Pad-Oxid (4) aufgebracht wird, eine Aussparung (6) mit Seitenwänden und einem Boden gebildet wird, wobei im Bereich der Aussparung (6) die CMP-Stoppschicht (5), das Pad-Oxid (4) und die Ätzstoppschicht (3) entfernt werden, eine elektrisch isolierende Schicht (7) auf den Seitenwänden und dem Boden hergestellt wird, eine Speicherschicht (8) aus einem zum Ladungseinfang geeigneten dielektrischen Material aufgebracht wird, Anteile der Speicherschicht (8) entfernt werden, wobei getrennte Anteile der Speicherschicht (8) auf einander gegenüberliegenden Seitenwänden der Aussparung (6) stehen bleiben, eine weitere elektrisch isolierende Schicht (9) gebildet wird, die die getrennten Anteile der Speicherschicht (8) bedeckt, eine Gate-Elektrodenschicht (10) in der Aussparung angeordnet und durch chemisch-mechanisches Polieren, das auf der CMP-Stoppschicht (5) endet, planarisiert wird, die CMP-Stoppschicht (5), das Pad-Oxid (4) und die Ätzstoppschicht (3) entfernt werden und dotierte Bereiche (14) in dem Halbleitermaterial benachbart zu den getrennten Anteilen der Speicherschicht (8) durch eine Implantation ausgebildet werden. |
