| 主权项 |
一种高可靠性电源钳位ESD保护电路，其特征在于，包括：依次连接的电容‑电阻模块（1）、钳位晶体管开启模块（2）、以及钳位晶体管（4），还包括：钳位晶体管关断模块（3），分别与所述电容‑电阻模块（1）和钳位晶体管（4）连接；所述电容‑电阻模块（1），用于识别所述高可靠性电源钳位ESD保护电路的电源管脚Vdd的脉冲是否为静电放电脉冲，若是，则发送第一响应信号至所述钳位晶体管开启模块（2），在经过所述电容‑电阻模块（1）的时间常数后，发送第二响应信号至所述钳位晶体管关断模块（3）；所述钳位晶体管开启模块（2），用于根据所述第一响应信号启动所述钳位晶体管（4）；所述钳位晶体管关断模块（3），用于根据所述第二响应信号关断所述钳位晶体管（4）；所述钳位晶体管（4），用于在启动时，释放所述静电放电脉冲带来的静电电荷；所述钳位晶体管开启模块（2）包括：PMOS晶体管Mp1‑1、Mp1‑2、Mp2、以及NMOS晶体管Mn1，所述PMOS晶体管Mp1‑1的栅极与电容C1和电阻R1的连接点连接，所述PMOS晶体管Mp1‑1的源极与所述PMOS晶体管Mp1‑2的漏极和栅极分别连接，所述PMOS晶体管Mp1‑2的源极与所述高可靠性电源钳位ESD保护电路的电源管脚Vdd连接，所述PMOS晶体管Mp1‑1的漏极分别与所述NMOS晶体管Mn1的漏极和所述PMOS晶体管Mp2的栅极连接，所述NMOS晶体管Mn1的栅极与所述高可靠性电源钳位ESD保护电路的电源管脚Vdd连接，所述NMOS晶体管Mn1的源极接地，所述PMOS晶体管Mp2的源极与所述高可靠性电源钳位ESD保护电路的电源管脚Vdd连接，所述PMOS晶体管Mp2的漏极与NMOS晶体管Mbig1的栅极连接。 |
