发明名称 |
背照式图像传感器 |
摘要 |
本实用新型涉及一种背照式图像传感器,所述背照式图像传感器包括:硅片层,其包括用于感光产生电信号的光电二极管,所述硅片层具有正表面和背表面;后端层,其设置于所述硅片层的正表面,所述后端层包括晶体管栅极、栅氧化层、导线层和介电层;入光层,其包括微透镜层和滤光膜层,所述入光层设置于所述硅片层背表面;所述后端层还包括:吸光层,其设置于所述后端层预设位置,所述吸光层用于吸收从硅片层透射过来的光线。本实用新型采用的吸光层吸收从器件层透射过来的光线,由此大大降低透射光线被反射到其他像素的机会,从而降低相邻像素之间的相互串扰。 |
申请公布号 |
CN203456461U |
申请公布日期 |
2014.02.26 |
申请号 |
CN201320429340.7 |
申请日期 |
2013.07.15 |
申请人 |
格科微电子(上海)有限公司 |
发明人 |
赵立新 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 |
北京戈程知识产权代理有限公司 11314 |
代理人 |
程伟;王刚 |
主权项 |
一种背照式图像传感器,包括: 硅片层,其包括用于感光产生电信号的光电二极管,所述硅片层具有正表面和背表面; 后端层,其设置于所述硅片层的正表面,所述后端层包括晶体管栅极、栅氧化层、导线层和介电层; 入光层,其包括微透镜层和滤光膜层,所述入光层设置于所述硅片层背表面; 其特征在于,所述后端层还包括: 吸光层,其设置于所述后端层预设位置,所述吸光层用于吸收从硅片层透射过来的光线。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区盛夏路560号2号楼11楼 |