发明名称 纹理化半导体基板之改良方法
摘要 清洁并随后氧化半导体基板。该半导体经氧化之后,将该半导体纹理化以降低入射光之反射率。经纹理化之半导体可用于光伏装置之制造中。
申请公布号 TWI427695 申请公布日期 2014.02.21
申请号 TW099144421 申请日期 2010.12.17
申请人 罗门哈斯电子材料有限公司 美国 发明人 巴尔 罗伯特K;欧康纳 寇利
分类号 H01L21/306 主分类号 H01L21/306
代理机构 代理人 洪武雄 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼;陈昭诚 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼
主权项
地址 美国