发明名称 一种半导体器件的电可编程熔丝结构
摘要 本发明涉及一种半导体器件的电可编程熔丝结构,包括:熔丝元件;与所述熔丝元件互连的第一端部和第二端部;所述第一端部和所述第二端部与所述熔丝元件的连接部位呈三角形状,且连接部位处所述第一端部和第二端部边缘与所述熔丝元件的边缘形成的钝角为135°,其中所述第一端部和第二端部上各具有四个矩形接触孔,形成2×2的接触阵列,用于电连接。本发明所述的熔丝结构能够非常容易的获得高而且一致的最终电阻,由此避免了断裂或者凝聚的有害影响并避免了相邻器件之间的损害,本发明所述结构有利于允许较低的编程电压、电流和/或编程时间。
申请公布号 CN103594450A 申请公布日期 2014.02.19
申请号 CN201210287397.8 申请日期 2012.08.13
申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 发明人 陈建奇;何学缅;吴永玉
分类号 H01L23/525(2006.01)I 主分类号 H01L23/525(2006.01)I
代理机构 北京市磐华律师事务所 11336 代理人 董巍;高伟
主权项 一种半导体器件的电可编程熔丝结构,包括:熔丝元件;与所述熔丝元件互连的第一端部和第二端部;所述第一端部和所述第二端部与所述熔丝元件的连接部位呈三角形状,且连接部位处所述第一端部和第二端部边缘与所述熔丝元件的边缘形成的钝角为135°,其中所述第一端部和第二端部上各具有四个矩形接触孔,形成2×2的接触阵列,用于电连接。
地址 201203 上海市浦东新区张江路18号