| 发明名称 | 阵列基板及制造该阵列基板的方法 | ||
| 摘要 | 论述了一种阵列基板及制造该阵列基板的方法。根据一个实施例，所述方法包括在基板上形成栅极，在所述栅极上形成栅极绝缘层，使用单个掩模在所述栅极绝缘层上形成氧化物半导体层和防蚀刻层，在所述防蚀刻层上形成源极和漏极，在所述源极和漏极以及所述栅极绝缘层上形成包含接触孔的钝化层，以及在所述钝化层上并穿过所述接触孔形成像素电极。 | ||
| 申请公布号 | CN102263111B | 申请公布日期 | 2014.02.19 |
| 申请号 | CN201110151814.1 | 申请日期 | 2011.05.30 |
| 申请人 | 乐金显示有限公司 | 发明人 | 柳昌逸;徐铉植;裴钟旭 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人 | 徐金国;钟强 |
| 主权项 | 一种制造阵列基板的方法，包括：在基板上形成栅极；在所述栅极上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成氧化物半导体层材料；使用六氟化硫(SF6)和氧气(O2)等离子体对所述氧化物半导体层材料应用等离子体处理，将所述氧化物半导体层材料的上部变成防蚀刻材料层；使用单个掩模对所述氧化物半导体层材料和所述防蚀刻材料层进行图案化以形成氧化物半导体层和防蚀刻层；在所述防蚀刻层上形成源极和漏极；在所述源极和漏极以及所述栅极绝缘层上形成包含接触孔的钝化层；以及在所述钝化层上并穿过所述接触孔形成像素电极。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||