发明名称 一种液相合成KTP晶体前驱体的方法
摘要 本发明公开了一种液相合成KTP晶体前驱体的方法。向KTP晶体中掺入Al3+后,可以提高KTP晶体的抗激光损伤阈值,但传统上采用固相法来合成KTP晶体的前驱体,掺Al3+量一直不高,当掺Al3+量在7%mol浓度时,晶体的结构发生了改变,很难生长出高质量的具有光学均匀性的Al:KTP型晶体。本发明采用液相法来合成KTP晶体的前驱体,可以提高掺Al3+量,为获得高质量的Al:KTP型晶体提供了方法和途径。本发明液相法合成掺杂KTP晶体的前驱体,当掺Al3+量在9%moL浓度之内,都不会明显影响KTP晶体结构,可以生长出高质量的掺Al:KTP型晶体。
申请公布号 CN103590093A 申请公布日期 2014.02.19
申请号 CN201310466564.X 申请日期 2013.10.09
申请人 合肥师范学院 发明人 胡静;李洁
分类号 C30B7/14(2006.01)I;C30B29/22(2006.01)I 主分类号 C30B7/14(2006.01)I
代理机构 合肥天明专利事务所 34115 代理人 奚华保
主权项 一种液相合成KTP晶体前驱体的方法,其特征在于,包括下述步骤:(1)取1‑2ml四氯化钛,用蒸馏水溶解配制成总体积为250ml的四氯化钛溶液;(2)称取1.700g的磷酸二氢钾,用蒸馏水溶解配制成总体积为5‑10ml的磷酸二氢钾溶液;(3)将磷酸二氢钾溶液滴入四氯化钛溶液中,边滴边用搅拌子搅拌;(4)滴毕,再向溶液中滴加含Al3+的溶液,边滴边用搅拌子搅拌,其中,Al3+摩尔量为四氯化钛摩尔量的1%‑9%;(5)将生成的化合物放入真空干燥箱中烘干研磨后,再将其放入马弗炉中烧结,在200oC,400 oC,600 oC下各烧结一个小时,在800 oC下烧结两个小时,在1000 oC下烧结一个小时。
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