发明名称 |
高速缓冲存储器及其驱动方法 |
摘要 |
提供一种能够进行低耗电量操作且高速缓存命中率得到提高的高速缓冲存储器及该高速缓冲存储器的驱动方法。两个数据存储部(第一存储部及第二存储部)和一个数据传送部设置在高速缓冲存储器所包括的存储器组内的一个存储单元中,并且被安排成使得在两个数据存储部之间能够通过数据传送部来转移数据。两个数据存储部之一能够存储从外部输入的数据并能够向与存储器组成对的比较电路输出数据。 |
申请公布号 |
CN103597545A |
申请公布日期 |
2014.02.19 |
申请号 |
CN201280027703.2 |
申请日期 |
2012.05.28 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
黑川义元 |
分类号 |
G11C11/413(2006.01)I;G06F12/08(2006.01)I;G11C11/412(2006.01)I |
主分类号 |
G11C11/413(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
李玲 |
主权项 |
一种半导体装置,包括:包括多个存储单元的存储器组;与所述存储器组电连接的比较电路;以及与所述存储器组电连接的控制部,其中,所述多个存储单元的每一个包括第一存储部、第二存储部以及数据传送部,所述第一存储部被配置成存储从所述控制部输入的1比特的数据,所述第一存储部被配置成将所述1比特的数据输出到所述比较电路,所述第一存储部被配置成将所述1比特的数据输出到所述数据传送部,所述数据传送部被配置成将所述1比特的数据传送到所述第二存储部,并且,所述第二存储部被配置成存储所述1比特的数据并将所述1比特的数据传送到所述第一存储部。 |
地址 |
日本神奈川县 |