发明名称 一种快速光电探测器
摘要 本发明涉及电子元器件技术,具体的说是涉及一种快速光电探测器。本发明所述的快速光电探测器,包括相连接的光电二极管和放大电路,所述光电二极管包括N+衬底101、N-外延层102、阳极金属电极105和阴极金属电极106,所述N-外延层102设在N+衬底101的上端面,所述N-外延层102中设有P+注入区103,所述P+注入区103的上端面设有抗反射膜104和阳极金属电极105,所述放大电路由多个NMOS管108和PMOS管109组成,其特征在于,所述光电二极管与放大电路之间设置有遮光层,所述遮光层用于对非光敏区进行光屏蔽。本发明的有益效果为从根本上消除了慢光生载流子的产生条件,从而大大提升了光电探测器的响应速度。本发明尤其适用于光电探测器。
申请公布号 CN103594468A 申请公布日期 2014.02.19
申请号 CN201310633691.4 申请日期 2013.11.29
申请人 电子科技大学 发明人 张有润;董梁;孙成春;张飞翔;刘影;张明;高向东;张波
分类号 H01L27/06(2006.01)I;H01L31/0232(2014.01)I;H01L31/103(2006.01)I 主分类号 H01L27/06(2006.01)I
代理机构 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 代理人 李顺德;王睿
主权项 一种快速光电探测器,包括相连接的光电二极管和放大电路,所述光电二极管包括N+衬底(101)、N‑外延层(102)、阳极金属电极(105)和阴极金属电极(106),所述N‑外延层(102)设在N+衬底(101)的上端面,所述N‑外延层(102)中设有P+注入区(103),所述P+注入区(103)的上端面设有抗反射膜(104)和阳极金属电极(105),所述放大电路由多个NMOS管(108)和PMOS管(109)组成,其特征在于,所述光电二极管与放大电路之间设置有遮光层,所述遮光层用于对非光敏区进行光屏蔽。
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号