发明名称 研磨垫及其制造方法
摘要 本发明提供一种研磨垫及其制造方法,研磨垫改善在使用现有的硬质(干式)研磨垫的情况下产生的刮伤问题,且研磨速率或研磨均匀性优异,不仅能应对一次研磨而且也能应对抛光研磨。本发明的半导体元件研磨用的研磨垫含有研磨层,研磨层具有含有大致球状的气泡的聚氨基甲酸酯聚脲树脂发泡体,并且半导体元件研磨用的研磨垫的特征在于:聚氨基甲酸酯聚脲树脂发泡体的由式(1)所求出的硬段的含有率(HSC)在26%~34%的范围内,且聚氨基甲酸酯聚脲树脂发泡体的密度D在0.30g/cm3~0.60g/cm3的范围内。HSC=100×(r-1)×(Mdi+Mda)÷(Mg+r×Mdi+(r-1)×Mda)…(1)。
申请公布号 CN103597584A 申请公布日期 2014.02.19
申请号 CN201280027498.X 申请日期 2012.04.16
申请人 富士纺控股株式会社 发明人 糸山光纪;宫泽文雄
分类号 H01L21/304(2006.01)I;B24B37/24(2006.01)I;C08G18/00(2006.01)I;C08G18/65(2006.01)I;C08J5/14(2006.01)I 主分类号 H01L21/304(2006.01)I
代理机构 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人 臧建明
主权项 一种半导体元件研磨用的研磨垫,具备研磨层,所述研磨层具有含有大致球状的气泡的聚氨基甲酸酯聚脲树脂发泡体,并且所述半导体元件研磨用的研磨垫的特征在于:所述聚氨基甲酸酯聚脲树脂发泡体的由下述式(1)所求出的硬段的含有率(HSC)在26%~34%的范围内,且所述聚氨基甲酸酯聚脲树脂发泡体的密度D在0.30g/cm3~0.60g/cm3的范围内,HSC=100×(r‑1)×(Mdi+Mda)÷(Mg+r×Mdi+(r‑1)×Mda)…(1)式(1)中,Mdi表示构成所述聚氨基甲酸酯聚脲树脂的聚异氰酸酯化合物的每2官能异氰酸基的平均分子量;Mg表示构成所述聚氨基甲酸酯聚脲树脂的多元醇化合物的每2官能羟基的平均分子量;Mda表示构成所述聚氨基甲酸酯聚脲树脂的多胺化合物的每2官能氨基的平均分子量;r表示构成所述聚氨基甲酸酯聚脲树脂的聚异氰酸酯化合物的异氰酸基相对于多元醇化合物的羟基的当量比)。
地址 日本东京中央区日本桥人形町1丁目18番12号