发明名称 发光器件及其制造方法、发光器件封装以及发光系统
摘要 本发明涉及发光器件及其制造方法、发光器件封装以及发光系统。该发光器件包括:第一半导体层;在第一半导体层上的产生光的有源层;在有源层上的第二导电半导体层;在第二导电半导体层上的透明电极层;以及在透明电极层上的多薄膜反射镜,其通过重复堆叠具有第一折射率的第一薄膜层和具有不同于第一折射率的第二折射率的第二薄膜层至少一次来形成,其中第二导电半导体层的厚度满足:2·Φ1+Φ2=N·2π±Δ,(0≤Δ≤π/2),其中,Φ1是当在垂直方向上行进的光经过第二导电半导体层时出现的相移并且被表达为Φ1=2πnd/λ(n是光的折射率,λ是光的波长,并且d是第二导电半导体层的厚度),并且Φ2是当从透明电极层和多薄膜反射镜中的一个反射光时出现的相移,并且N是自然数。
申请公布号 CN102237458B 申请公布日期 2014.02.12
申请号 CN201110108215.1 申请日期 2011.04.25
申请人 LG伊诺特有限公司 发明人 金鲜京
分类号 H01L33/20(2010.01)I;H01L33/46(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I 主分类号 H01L33/20(2010.01)I
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人 夏凯;谢丽娜
主权项 一种发光器件,包括:第一半导体层;在所述第一半导体层上的有源层,所述有源层产生光;在所述有源层上的第二导电半导体层;在所述第二导电半导体层上的透明电极层;以及在所述透明电极层上的多薄膜反射镜,通过重复堆叠具有第一折射率的第一薄膜层和具有不同于所述第一折射率的第二折射率的第二薄膜层至少一次来形成所述多薄膜反射镜,其中所述第二导电半导体层的厚度满足下述等式1:等式12·Φ1+Φ2=N·2π±Δ,0≤Δ≤π/2其中,Φ1是当在垂直方向上行进的光经过所述第二导电半导体层时出现的相移并且被表达为Φ1=2πnd/λ,n是光的折射率,λ是光的波长,并且d是所述第二导电半导体层的厚度,Φ2是当从所述透明电极层和所述多薄膜反射镜中的一个反射光时出现的相移,以及N是自然数。
地址 韩国首尔