| 发明名称 | 一种用于制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种用于制造半导体器件的方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有第一层间介电层以及位于所述第一层间介电层中的栅极结构；对所述栅极结构执行回蚀刻处理，以使其上表面低于所述第一层间介电层的上表面；在所述衬底上方形成栅极结构覆盖层；以及对所述栅极结构覆盖层执行平坦化处理，以使所述栅极结构覆盖层的上表面与所述第一层间介电层的上表面齐平。根据本发明的方法能够增大接触插塞与金属栅极之间的间距，从而改善两者之间的桥接问题，进而能够制作具有改进的电学性能的半导体器件。 | ||
| 申请公布号 | CN103578945A | 申请公布日期 | 2014.02.12 |
| 申请号 | CN201210258449.9 | 申请日期 | 2012.07.24 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 王新鹏;周俊卿;张城龙 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种用于制造半导体器件的方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有第一层间介电层以及位于所述第一层间介电层中的栅极结构；对所述栅极结构执行回蚀刻处理，以使其上表面低于所述第一层间介电层的上表面；在所述衬底上方形成栅极结构覆盖层；以及对所述栅极结构覆盖层执行平坦化处理，以使所述栅极结构覆盖层的上表面与所述第一层间介电层的上表面齐平。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||