| 发明名称 | 半导体装置及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种半导体装置及其制作方法，该半导体装置包括一半导体基底、两个浮置栅极(floating gate)、一控制栅极(control gate)以及一第一介电层。两个浮置栅极设置于半导体基底上，其中控制栅极部分重叠各浮置栅极，且部分控制栅极位于两个浮置栅极之间。此外，设置于两个浮置栅极与控制栅极之间的第一介电层具有一固定厚度。 | ||
| 申请公布号 | CN103579362A | 申请公布日期 | 2014.02.12 |
| 申请号 | CN201210267257.4 | 申请日期 | 2012.07.30 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 许正源;任驰;温增飞 |
| 分类号 | H01L29/788(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/788(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陈小雯 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包括：两个浮置栅极(floating gate)，设置于一半导体基底上；控制栅极(control gate)，部分重叠各该浮置栅极，且部分该控制栅极位于二该浮置栅极之间；以及第一介电层，设置于二该浮置栅极与该控制栅极之间，且该第一介电层具有一固定厚度。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||