| 发明名称 | 非易失性存储器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种非易失性存器件，所述非易失性存储器件包括：层叠结构，所述层叠结构被设置在衬底之上，并且具有交替层叠的多个层间电介质层和导电层；多个孔，所述多个孔被形成为穿通层叠结构以暴露出衬底；第一存储层和第二存储层，所述第一存储层和所述第二存储层分别形成在每个孔的周缘中；以及第一沟道层和第二沟道层，所述第一沟道层和所述第二沟道层分别形成在第一存储层和第二存储层上。 | ||
| 申请公布号 | CN103579251A | 申请公布日期 | 2014.02.12 |
| 申请号 | CN201310110539.8 | 申请日期 | 2013.04.01 |
| 申请人 | 爱思开海力士有限公司 | 发明人 | 安正烈 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 俞波;石卓琼 |
| 主权项 | 一种非易失性存储器件，包括：层叠结构，所述层叠结构被设置在衬底之上，并且具有交替层叠的多个层间电介质层和导电层；多个孔，所述多个孔被形成为穿通所述层叠结构以暴露出所述衬底；第一存储层和第二存储层，所述第一存储层和第二存储层分别形成在每个孔的周缘中；以及第一沟道层和第二沟道层，所述第一沟道层和所述第二沟道层分别形成在所述第一存储层和所述第二存储层上。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||