场中止型绝缘栅型双极晶体管及其制造方法

摘要

本发明涉及场中止型绝缘栅型双极晶体管及其制造方法。该方法依次具备下述步骤：形成缓冲层的步骤，在晶片正面形成N＋缓冲层；形成N型器件层的步骤，在所述N＋型缓冲层上通过外延生长而形成N型器件层；形成IGBT结构的步骤，在所述N型器件层上形成IGBT的正面结构；以及形成集电极的步骤，在所述晶片背面形成集电极。根据本发明的场中止型绝缘栅型双极晶体管的制造方法，不需要薄片的工艺设备就能够制造超薄型的场中止型绝缘栅型双极晶体管，具有工艺简单、效率高、成本低的优点，而且利用本发明的方法制造出的场中止型绝缘栅型双极晶体管具有更低的导通压降和应用温度。

主权项

一种场中止型绝缘栅型双极晶体管的制造方法，其特征在于，依次具备下述步骤：形成缓冲层的步骤，在晶片正面形成N＋缓冲层；形成N型器件层的步骤，在所述N＋型缓冲层上通过外延生长而形成N型器件层；形成IGBT结构的步骤，在所述N型器件层上形成IGBT的正面结构；以及形成集电极的步骤，在所述晶片背面形成集电极。