| 发明名称 | 杂质扩散成分的扩散方法及太阳能电池的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的方式的杂质扩散成分的扩散方法，包括：在半导体基板的表面上形成包含第1导电型的杂质扩散成分的第1扩散剂层的工序；对第1扩散剂层进行烧成的工序；在除了形成有第1扩散剂层的区域以外的半导体基板的表面上，形成包含第2导电型的杂质扩散成分的第2扩散剂层的工序；和在高于烧成温度的温度下加热半导体基板，使第1导电型的杂质扩散成分和第2导电型的杂质扩散成分向半导体基板扩散的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN103579412A | 申请公布日期 | 2014.02.12 |
| 申请号 | CN201310314026.9 | 申请日期 | 2013.07.24 |
| 申请人 | 东京应化工业株式会社 | 发明人 | 神园乔;高桥元树;森田敏郎 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L21/225(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 蒋亭 |
| 主权项 | 一种杂质扩散成分的扩散方法，其特征在于，包括：在半导体基板的表面上形成包含第1导电型的杂质扩散成分的第1扩散剂层的工序、对所述第1扩散剂层进行烧成的工序、在除了形成有所述第1扩散剂层的区域以外的所述半导体基板的表面上，形成包含第2导电型的杂质扩散成分的第2扩散剂层的工序、和在高于烧成温度的温度下加热所述半导体基板，使第1导电型的杂质扩散成分和第2导电型的杂质扩散成分向所述半导体基板扩散的工序。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||