发明名称 |
带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的制造方法,包括:清洗碳化硅衬底;在碳化硅衬底上采用热氧化的方法生长离子注入牺牲层薄膜;采用LPCVD方法在得到的离子注入牺牲层薄膜上生长用于控制刻蚀工艺的选择性截止层;采用外延或者生长的方法,在选择性截止层上形成绝缘介质掩蔽层;在绝缘介质掩蔽层上匀光刻胶,并光刻显影出选择性离子注入区域窗口;从选择性离子注入区域窗口对绝缘介质掩蔽层进行干法刻蚀或者腐蚀直至选择性截止层的表面;继续刻蚀或腐蚀直至离子注入牺牲层表面,并去掉光刻胶,获得超薄离子注入牺牲层薄膜。此种制作掩模的方法适用于碳化硅SBD、JBS二极管、MOSFET器件以及其他需要使用高温高能量离子注入的碳化硅器件。 |
申请公布号 |
CN103578942A |
申请公布日期 |
2014.02.12 |
申请号 |
CN201310559750.8 |
申请日期 |
2013.11.12 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所 |
发明人 |
刘新宇;许恒宇;汤益丹;蒋浩杰;赵玉印;申华军;白云;杨谦 |
分类号 |
H01L21/266(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/266(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
任岩 |
主权项 |
一种带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的制造方法,其特征在于,包括:清洗碳化硅衬底;在碳化硅衬底上采用热氧化的方法生长离子注入牺牲层薄膜;采用LPCVD方法在得到的离子注入牺牲层薄膜上生长用于控制刻蚀工艺的选择性截止层;采用外延或者生长的方法,在选择性截止层上形成绝缘介质掩蔽层;在绝缘介质掩蔽层上匀光刻胶,并光刻显影出选择性离子注入区域窗口;从选择性离子注入区域窗口对绝缘介质掩蔽层进行干法刻蚀或者腐蚀直至选择性截止层的表面;以及继续刻蚀或腐蚀直至离子注入牺牲层表面,并去掉光刻胶,获得超薄离子注入牺牲层薄膜。 |
地址 |
100083 北京市朝阳区北土城西路3号 |